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    悦博体育19TDA7293中文资料TDA7293中文资料第6页精选内容:介绍在消费电子领域,需求量不断增加已经出现了很高功率的单片音频放大器能够以低成本匹配,从最好的离散de-迹象.实现这种线性集成电路的任务在传统的双极性技术中,由第二次破产的发生极其困难,下来的箴言.它限制了安全操作面积(SOA)的功率器件,顺序,最大可达到的输出功率,特别是在高反应负载的情况下.此外,充分利用SOA翻译大幅增加了电路和布局由于需要复杂的亲和力,检测电路.为了克服这些实质性的缺点,使用功率MOS器件,这是免疫的从二次击穿是非常可取的.所描述的设备因此已经被开发出来,在混合双极MOS高压技术中运行,名为BCDII100/)输出阶段开发电力运行的主要设计任务是,独立于技术的放大器,使用,是输出阶段的实现.这个解决方案显示为一个原则性的图3表示DMOS统一增益输出TDA7293的缓冲区.这个大信号的高功率缓冲器必须是ca-处理极高电流和电压的电线,年龄水平,同时保持可接受的低har-摩尼失真和好行为过度频率响应;此外,准确的配合需要静态电流的控制.局部线性化反馈,由differen-Tial放大器A用于满足上述要求,允许简单而有效的静止当前设置.适当的偏置功率输出晶体管但单靠一个人是不足以保证ab-交叉失真的感觉.虽然DC转换线性化charac-阶段性的阶段性,系统必须考虑到这一点.保持失真的重要帮助,在尽可能低的最后阶段,由赔偿计划提供,控制米勒电容器的直接连接在放大器的输出端引入一个本地交流电反馈路径包围输出级本身.2)保护在设计功率IC时,必须特别注意留给专门保护的电路的设备短路或过载condi-蒸发散.由于没有第二击穿phe-现在,DMOS的transis-只能通过最大的耗散来限制曲线取决于应用的持续时间刺激.为了充分利用这个功能功率晶体管,保护方案的实施,在这个装置中结合了传统的SOA保护电路具有新颖的本地温度-传感技术“动态”控制最大的耗散.图为了加快办理速度,还推出网上预约服务。

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    LM2596中文资料LM2596中文资料第21页精选内容:申请信息(续)不错的选择,但一些类型突然关闭charac-可能会导致不稳定或EMI问题.超快回收二极管通常具有50的反向恢复时间ns或更少.整流器如1N5400系列很多太慢,不应该使用.电感选择所有开关稳压器都有两种基本操作模式;连续和不连续.之间的区别两种类型与电感电流有关,是否流动不断,或者如果在一段时间内下降到零正常的开关周期.每种模式都有明显的不同经营特点,这可能会影响监管机构性能和要求.大多数切换台的设计将会在负载电流的情况下以非连续模式操作低.LM2596(或任何简单的切换器家族)都可以用于连续或不连续的歌剧-灰.在许多情况下,首选的操作模式是“多变的模式.它提供更大的输出功率,更低的峰值开关,电感和二极管电流,可以有较低的输出纹波电压.但是它确实需要更大的电感保持电感电流不断流动的值,特别是在低输出负载电流和/或高输入电压时,年龄.为了简化电感选择过程,(列线图)的设计(见图4通过8).本指南假定监管机构正在运作连续模式,并选择一个电感,将允许一个峰峰值电感纹波电流为一定百分比-年龄最大设计负载电流.这个峰到峰电感纹波电流百分比不是固定的,而是允许的以随着不同的设计负载电流被选择而改变.(看到图16.)通过允许电感纹波电流的百分比增加低负载电流,电感值和尺寸可以保持相对较低.在连续模式下工作时,电感电流波形范围从三角形到锯齿形波形(取决于输入电压),与平均值这个电流波形的值等于直流输出负载当前.电感器有不同的风格,如壶芯,圆环,E芯,梭芯等,以及不同的芯线材料,如铁氧体和铁粉.至少昂贵的,线轴,棒或棒芯,由线组成缠绕在铁氧体线圈上.这种类型的建筑使得对于廉价的电感器,但是由于磁通量不是完全包含在核心内,它会产生更多电磁干扰(EMl).这个磁通量可以感应电压到附近的印刷电路迹线,因此,与开关稳压器操作和解决问题附近的敏感电路,可以给不正确的范围读取-因为示波;

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    LM393中文资料LM393中文资料第2页精选内容:飞利浦半导体产品规格LM193/A/293/A/393/A/2903低功耗双电压比较器1995年11月27日2绝对最大额定值符号参数评分单元VCC电源电压36或者±18VDC差分输入电压36VDCVIN输入电压-到+36VDCPD.最大功耗,TA=25°C(静止空气)1F包N包D包7801160780毫瓦毫瓦毫瓦输出对地短路2连续我在输入电流(VINAMP;LT;-)350嘛TA.工作温度范围LM193/193ALM293/293ALM393/393ALM2903-55到+125-25到+850到+70-40到+125CCCCTSTG存储温度范围-65到+150C已售出铅焊接温度(最多10秒)300C笔记:减免以上25°C,以下列速率:F封装在/CN封装/CD封装在/C2.从输出到V+的短路会导致过热和最终的破坏.最大输出电流近似于20MA与V+的大小无关.3.只有在任何一个输入引脚的电压被驱动为负时,才会存在该输入电流.这是由于收藏家基地交界处的输入PNP晶体管变成正向偏置,从而充当输入二极管钳位.除了这个二极管动作外,还有侧向的NPN寄生晶体管在IC芯片上的作用.该晶体管动作可以使比较器的输出电压达到V+电压在输入驱动为负的持续时间内,电平(或接地,以实现大的过驱动).这不是破坏性的正常输出状态将在输入电压为负值时再次恢复到大于-的值.;

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    BTA16中文资料BTA16中文资料第5页精选内容:BTA16,BTB16,T1610,T1635特点DOCID7471REV95/10图热阻结到环境与铜表面下标签(印刷电路板FR4,铜厚35μM)图7.非重复浪涌峰值导通状态电流为正弦曲线图8.门触发的相对变化当前一世(A),IT(AS)TSM22T(毫秒)PT初始=25℃我TSMDI/DT限制:50A/μS的我T2宽度TAMP;LT;10MS的脉冲和相应的IT值(°C)我,我,我[T]/GTHL一世,I,I[T=25°C]GTHL我GT我H&IL保持电流和锁存电流与结温度(典型值)图9.临界速率的相对变化主电流相对于(DV/DT)C(典型值)图10.临界速率的相对变化主电流相对于(DV/DT)C(典型值)(DV/DT)C(V/μS)(DI/DT)C[(DV/DT)C]/规定的(DI/DT)CT1635/CW/BWSWC乙无缓冲和逻辑电平类型025507510012501234五6(DI/DT)C[T]/PECIFIED](DI/DT)C[TST(°C)标准类型048121620242832364001020三十4050607080S(平方厘米)[R(℃/W)第(JA)DPAK2;

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